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图2含晶界的两类HDP的能带结构a)具有原Σ5(310)GB的Cs2AgInCl6的能带结构，电价电量达其中带隙内的深能级缺陷态[a图中的S1,S2和S3态以及c图中的T1和T2态]以粗线突出显示，电价电量达而体相态由阴影区域突出显示(下同)。改全e)具有原Σ5(310)GB的Cs2AgBiCl6能带示意图。

图6第II类HDP中不利晶界处缺陷(及复合物)的形成a)Cli掺入后，面推具有Σ5(310)GB的Cs2AgBiCl6的能带结构，而体相态由阴影区域突出显示。b)InAg+Cli掺入后，进2交易具有Σ5(310)GB的Cs2AgInCl6的能带结构。与其他传统半导体类似，直接HDP的器件性能可能受其有害缺陷的限制，包括晶体内部(GI)和晶界(GB)缺陷。

通过独特的化学方法对晶界进行调控是一种普世的方法，亿度可以应用到其他多晶材料中，亿度这为设计具有更优越光电性能的多晶钙钛矿提供了新的观点和指导。图4生长体相Cs2AgInCl6的稳定化学势区域a-d)在ΔμAg=0、输配-0.1、输配-0.2和-0.3eV稳定的化学势区域中，InAg+Cli掺入Cs2AgInCl6Σ5(310)GB的缺陷形成能随ΔμCs和ΔμIn的变化，其中白色虚线表示ΔHf[InAg+Cli]0的区域(下方)和ΔHf[InAg+Cli]0的区域(上方)的边界。

图8Cs2AgBiCl6体相中本征缺陷物理研究a-c)在ΔμAg=0eV、电价电量达-0.4eV和-0.8eV的条件下，电价电量达在优选化学势区域(图7中标注)中Cs2AgBiCl6体相中的缺陷物理分为三种情况，表示为case1、case2和case3，相应的化学势点分别用红色、绿色和蓝色代表。

改全用于缺陷计算的三个代表性化学势点D-F在图7中用白色圆圈表示。我家的两只小狗都是从一两个月养起的，面推所以我深有体会。

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